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晶元GaN-on-Si晶片行将量产 称雄LED照明?
来源:http://www.bjtbztfsfgs.com 责任编辑:尊龙用现金娱乐一下 更新日期:2018-10-06 12:24

  晶元GaN-on-Si晶片行将量产 称雄LED照明?

  晶元光电氮化镓(GaN)布局再下一城。继年头获得德国ALLOS Semiconductors矽基氮化镓(GaN-on-Si)的技能授权后,晶元光电即将于近期投产GaN-on-Si晶片,方针确定发光二极体(LED)照明商场。别的,该公司也正活跃研制GaN-on-GaN技能,将瞄准600伏特(V)以上的功率元件运用,以替代MOSFET、IGBT等矽功率元件。

  晶元光电研制中心前瞻技能群研制一处专案处长李镇宇表明,氮化镓具有高温、高压、高频、高功率操作等特性,除可作为LED光发资料外,还有许多新的出路,如用于微波射频或电力电子范畴,因而生长潜力备受看好,并招引许多厂商投入研制。

  李镇宇进一步指出,由于GaN-on-Si技能可与如今八寸晶圆厂制程匹配,因而有较多厂商在进行研制,不过该技能仍面对异质磊晶结构缺点多等问题,较合适100~200V的运用,若要满意600V以上的高功率运用,则较合适运用GaN-on-GaN技能,由于其质量相对较为安稳。换言之,两种技能在功率元件的商场会有显着的运用分野,前者将以3C电子等低压运用为主,后者则满意电动车等高压运用。

  李镇宇说到,电子产品对轻浮矮小规划的要求,是驱动GaN功率元件开展的背面动力,由于如今以矽功率元件规划的电源供应器或电源转换器,体积皆很大且动力功率提高有限,若改用GaN功率元件,则可大幅缩小电源规划尺度,一起提高能效,进而可开创出更多新运用的可能性。

  据悉,晶元光电两种技能皆有投入研制,但现阶段主轴是以GaN-on-Si,因而相关产品进展会相对较快。李镇宇泄漏,最快今年底该公司即可投入GaN-on-Si晶片试产,若一切顺利2016年即可正式导入量产,初期将以LED照明运用为主。

  至于GaN-on-GaN的开展,仍需较多时刻研制与评价,一起也要看相关基板价格的开展情况。李镇宇剖析,如今GaN-on-GaN的基板占全体晶片本钱的比重仍在50~60%左右,相较之下,GaN-on-Si的基板本钱,以6寸而言则约占全体晶片5%左右,因而后者商用进展会相对较快。
 

  

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